TCAD modeling and simulation of self-limiting oxide growth and boron segregation during vertical silicon nanowire processing - Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2024

TCAD modeling and simulation of self-limiting oxide growth and boron segregation during vertical silicon nanowire processing

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hal-04639888 , version 1 (09-07-2024)

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Chiara Rossi, Jonas Müller, Peter Pichler, Paweł Piotr Michałowski, Guilhem Larrieu. TCAD modeling and simulation of self-limiting oxide growth and boron segregation during vertical silicon nanowire processing. Materials Science in Semiconductor Processing, 2024, 174, pp.108217. ⟨10.1016/j.mssp.2024.108217⟩. ⟨hal-04639888⟩
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