Optical and recombination properties of dislocations in cast-mono silicon from short wave infrared luminescence imaging
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Journal of Applied Physics
Année : 2020
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Soumis le : mardi 29 décembre 2020-23:20:53
Dernière modification le : jeudi 14 novembre 2024-16:00:06
Archivage à long terme le : mardi 30 mars 2021-20:12:33
Citer
Daniel Ory, Thibaud Hildebrandt, L. Lombez. Optical and recombination properties of dislocations in cast-mono silicon from short wave infrared luminescence imaging. Journal of Applied Physics, 2020, 127, ⟨10.1063/1.5140245⟩. ⟨hal-03090687⟩
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