Ce travail développe une approche globale du problème de l'interface entre une solution électrolytique et un semiconducteur doté d'une densité d'impuretés ionisables élevée (environ 10²º/cm³). L'épaisseur réduite de la zone de charge d'espace, l'influence de la couche d'Helmhotz et l'existence de niveaux profonds sont étudiées. Une expression très générale de la capacité de charge d’espace en présence de niveaux profonds est établie. Cette approche est appliquée au cas de l’oxyde de nickel lithiné Li_xNi_1-xO et conduit à une explication originale du comportement de l’interface.